三星電子(Samsung Electronics Co.)高層坦承，目前晶圓代工事業的專業的確後進臺積電(2330)，目的是在五年內迎頭遇上。
Sammobile引述《韓國經濟日報》新聞，三星裝贏家娛樂城新人優惠置解決計劃部分(Samsung Device Solutions Division)主管Kye Hyun Kyung 4日稍早在三星半導體(Samsung Semiconductor)舉行的課程中表明，三星的晶圓代工專業「目前後進臺積電」，旗下的4奈米製程大概後進臺積電兩年，3奈米製程則約後進一年。
但是，他強調，三星如今有優勢，「能在五leo娛樂城出金成功年內逾越臺積電」。
三星計九州娛樂城點數畫從3奈米開端運用圍繞式閘極(gate-all-around，GAA)製程，是該公司相信能在五年內逾越臺積電的要害。相較之下，臺積電在2奈米之前都不會使用GAA，三星相信公司能趁此時機遇上臺積電。
與臺積電目前使用的製程相較，GAA可讓三星晶片的體積更小(少45%)、耗電量更低(少50%)。Kye Hyun Kyung說，「客戶對三星3奈米GAA製程的反映不錯。」
有趣的是，Kye Hyun Kyung還說，三星相信影像體對AI伺服器的主要性將逾越輝達(Nvia Corp.)畫圖處置器(GPU)。他說，三星將「確保以影像體為中央的超等電腦在2028年底前問世。」
三星稱4奈米良率臨近5奈米
