日本半導體大廠瑞薩電子(Renesas Electronics)將自本年開端投資碳化矽(SiC)功率半導體、目的2025年開端量產，起步雖慢於其他同業，但是瑞薩信心滿滿表明，一旦開端進行生產、事業將能順遂進展。
日經報導、路透社、《日經xTECH》19日新聞，瑞薩社長兼CEO柴田英利於19日在線上舉辦的戰略說明會上表明，將自本年起開端投資SiC功率半導體、目的在2025年開端進行量產，將應用旗下目前已生產矽製功率半導體的高崎工場的6吋晶圓產線進行生產，主因跟著電動車(EV)遍及、動員節能功能優異的SiC功率半導體此後需要有望明顯增長。瑞薩在上年11月就表示要進軍SiC功率半導體市場，此次則是首度領會說明投資戰略。
瑞薩現行採取的生產手段是運算用進步邏輯晶片等產物委由晶圓代工場生產、而易於活用自家專業的功率半導體則靠自家工場生產。而除了SiC外，瑞薩也將對現行EV使用的矽製IGBT等功率半導體進行積極投資，於線上娛樂城服務評價2024年關閉的甲贏家娛樂城快速註冊府工場預測將在2024年上半年從頭啟用、將生產矽製功率半導體。
在SiC功率半導體市場上，龍頭廠瑞士STMicroelectronics、德國英飛凌(Infineon)、日本三菱電機等廠商也正致力於投資，瑞薩起步可說是對照慢。但是對此，柴田英利表明，「在功率半導體上、我們起步極度慢。比如、EV用IGBT此刻的市佔率推估為10%擺佈。但甲府工場開端生產的話，(市佔率)將可增至2倍、3倍」。
柴田英利信心的表明，「客戶對瑞薩IGBT的評價極度高、會將這些評價活用至SiC事業上。此刻SiC市場仍小、但他日毫無問題的會變得極度大。客戶對瑞薩SiC產物的訊問、即便是(尚未生產的)此刻、也極度強勁，2025年開端生產的話、事業將可順遂進行」。
和矽製功率半導體比擬、SiC功率半導體佔有更優異的耐熱耐壓性，電力消耗少，搭載於EV能提高續航間隔，而除了EV外、來自蓄電池等再生能源領域的需要也看漲。
SiC功率半導體需要衝、35年估飆30倍
日本市調機構富士經濟(Fuji Keizai)公布查訪匯報指出，因EV等車輛電動化需要、加上太陽能發電等再生能源遍及，動員2024年環球功率半導體市場規模(涵蓋矽製產物和碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鎵等次世代功率半導體)預估將年增12.5%至3兆186億日圓，且之後市場規模將連續擴張，預估2035年將擴增至13兆4,302億日圓、將較2024年暴增4倍(飆增約400%)。
此中，因以中國線上娛樂城會員攻略、歐洲為通博娛樂城代理中央加快使用，動員2024年SiC功率半導體市場規模(涵蓋SiC-SBD、SiC-FET、SiC功率模組)預估將年增34.3%至2,293億日圓，之後跟著車輛電動化、再生能源遍及，動員市場有望展示連忙增長，2035年預估將擴張至5兆3,300億日圓、將較2024年狂飆30.2倍。
電子元件大廠羅姆(Rohm)5月9日公布財報資料指出，位於福岡縣筑後市的工場已於2024年12月開端量產SiC功率半導體，且也方案興建新工場，目的在2025年度將SiC功率半導體月產能(以6吋晶圓換算)提高至2024年度的6.5倍、2030年度進一步擴增至35倍。Rohm表明，目的在2025年度將SiC功率半導體營收提高至1,300億日圓、2027年度進一步提高至2,700億日圓。
三菱電機3月14日公佈，通博娛樂城體驗金申請將增產SiC功率半導體，主因EV用需要旺、動員市場預估將展示連忙發展。三菱電機將投資約1,000億日圓，在熊本縣菊池市的現有工場廠區內興建新廠房，該座新廠將導入8吋SiC晶圓產線、預測2026年4月啟用生產，三菱電機並將擴增位於熊本縣合志市的工場的6吋晶圓產能。日媒指出，藉由上述增產投資，2026年度時、三菱電機SiC晶圓產能將擴增至2024年度的約5倍水準。
