韓媒傳出，iPhone 15 Pro面對過熱疑問，恐怕跟臺積電(2330)以3奈米製程專業代工的A17 Pro處置器有關。
BusinessKorea 26日新聞，依據業界動靜及外媒新聞，一名中國用戶近期回報，iPhone 15 Pro執行高階百家樂如何必勝遊戲後，機身溫度在30分內飆升至48度C。晶片過熱一般暗示製程顯露設計不足，比如無法管理漏電流(poer leakage)等疑問。
業界部門人士謹嚴指出，臺積電製程能夠有疑問。此中一項理由，是傳統的「鰭式場效電晶體(FinFET)」製程已瀕極點。FinFET製程於2024年推出，其電源管理介面有三面，直百家樂 龍寶到4奈米為止都是晶片設計不能或缺的專業。然而，一旦製程升級至3奈米以下，以FinFET專業管理電流將變得極具挑釁。
另一個較大的隱憂，百家樂 必勝法則是若第一代3奈米產物有缺點，基於同樣專業的後續製程恐怕也會有疑問。臺積電已百家樂訣竅公佈推出數個3奈米後續製程，當中包含有接續第一代「N3B」的第二代「N3E」。
先前三星電子(Samsung Electronics)曾在5奈米製程面對挑釁，其5奈米接續製程及相似的4奈米製程也同樣備受陰礙。這導致Galaxy S22內建的晶單方面臨過熱疑問，終極促使高通(Qualm)等大客戶轉換至臺積電(2330)。結局，臺積電、三星的市佔差距在上一季拉開503個百點之多。
三星為力挽狂瀾，已將3奈米改為「圍繞式閘極」(gate-all-around；GAA)製程，這種條理有更多管理介面，能改良電流管理、減少電力耗損並將體現效率增加約10%。臺積電已坦承FinFET的侷限性，並公佈2奈米也會轉換至GAA製程。
市場傳出，高通即將推出的旗艦型驍龍處置器「Snapdragon 8 Gen 3」將有兩種，一種採臺積電4奈米製程、另一種則是採臺積電3奈米製程。
Gizmochina、PhoneArena甫於9月24日引述南韓部落格網站gamma0burst新聞，依據外洩文件內容，驍龍8 Gen 3此中一個版本會使用臺積電4奈米「N4P」製程打造，另一個版本則會採用臺積電的3奈米「N3E」製程。目前只有兩款聰明機(iPhone 15 Pro、iPhone 15 Pro Max)內建3奈米晶片組(即A17 Pro)。
高通上次推出CPU組合徹底雷同的兩款旗艦型驍龍處置器，是2024年的驍龍8 Gen 1及驍龍8+ Gen 1。兩者最大的差異在於使用的製程專業。驍龍8 Gen 1是以三星4奈米製程打造，其時由於過熱、用電效率差劣而惡名昭彰。稍晚釋出的驍龍8+ Gen 1則是以臺積電4奈米製程打造，用電效率改良了3百家樂必勝公式圖解0%、聰明機溫度也減低不少。
