電動車(EV)需要加持，動員碳化矽(SiC)功率半導體需要衝、2035年市場規模預估將狂飆30倍。
日本市調機構富士經濟(Fuji Keizai)公布查訪匯報指出，因EV等車輛電動化需要、加上太陽能發電等再生能源遍及，動員2024年環球功率半導體市場規模(涵蓋矽製產物和碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鎵等次世代功率半導體)預估將年增12.5%至3兆186億日圓，且之後市冠天下娛樂城遊戲活動場規模將連續擴張，預估2035年將擴增至13兆4,302億日圓、將較2024年暴增4倍(飆增約400%)。
此中，2024年矽製功率半導體市場規模預估將年增11.0%至2兆7,833億日圓，2金合發娛樂城登入不了035年預估將擴張至7兆9,8leo娛樂城出金條件17億日圓、將較2024年提升2.2倍；2024年SiC等次世代功率半導體市場規模預估將年增34.5%至2,354億日圓，之後市場規模將展示連忙擴張，預估2035年將達5兆4,485億日圓、將較2024年狂飆30.1倍。
就次世代功率半導體的細項來看，因以中國、歐洲為中央加快leo娛樂城下載ip使用，動員2024年SiC功率半導體市場規模(涵蓋SiC-SBD、SiC-FET、SiC功率模組)預估將年增34.3%至2,293億日圓，之後跟著車輛電動化、再生能源遍及，動員市場有望展示連忙增長，2035年預估將擴張至5兆3,300億日圓、將較2024年狂飆30.2倍；2024年GaN功率半導體市場規模預估將年增32.6%至57億日圓，2035年預估將擴張至740億日圓、將較2024年暴增16.2倍；2024年氧化鎵功率半導體市場規模預估為4億日圓、2030年有望擴張至445億日圓。
三菱電機蓋新廠、增產SiC功率半導體
三菱電機3月14日公佈，將增產SiC功率半導體，主因EV用需要旺、動員市場預估將展示連忙發展。三菱電機將投資約1,000億日圓，在熊本縣菊池市的現有工場廠區內興建新廠房，該座新廠將導入8吋SiC晶圓產線、預測2026年4月啟用生產，三菱電機並將擴增位於熊本縣合志市的工場的6吋晶圓產能。
日媒指出，藉由上述增產投資，2026年度時、三菱電機SiC晶圓產能將擴增至2024年度的約5倍水準。
依據法國查訪公司Yole指出，2024年三菱電機SiC功率半導體環球市佔率排第6，在日廠中、僅次於位居第4位的Rohm。富士電機、東芝也擠進環球前10大之列，龍頭廠為瑞士STMicroelectronics。
