百家樂 注碼法_MinebeaMitsumi擬倍增北海道晶片產能、生產SiC

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百家樂水錢 日廠MinebeaMitsumi斟酌倍增位於日本北海道的類比晶片產能、且計畫在此後生產使用碳化矽(SiC)的功率半導體產物。

日經報導10日新聞,MinebeaMi歐博百家樂作弊tsumi會長貝沼由久在札幌市承受專訪表明,計畫倍增位於北海道千歲市的類比晶片工場「千歲事業所」產能,投資額規模上看1,000億日圓。以6寸晶圓換算、目前MinebeaMitsumi北海道類比晶片月產能約4萬片。

貝沼由久指出,「該公司在2024年收購Omron位於滋賀縣的類比晶片工場,而待該座工場到達滿載產能生產後、就斟酌擴增千歲事業所產能。目前雖仍處於構想階段,但是方案在附近的空曠興建新工場、將(千歲事業所)產能提高至現行的2倍。雖尚未有具體方案、但是但願在2-3年內實現。目的在此後3年內將類比晶片事業營收自去年度的790億日圓擴增至逾1,000億日圓」。

貝沼由久表明,「千歲事業所除了將增產IGBT產物外、此後也將生產採用SiC的功率半導體產物。投資額將臨近1,000億日圓的規模」。

據新聞,在日本內地、MinebeaMitsumi類比晶片事業的競爭敵手有瑞薩電子(Renesas Electronics)、東芝半導體事業子公司「東芝電子元件及儲存裝置(Toshiba Electr百家樂機率教學onic Devices Storage)」等企業。

瑞薩社長兼CEO柴田英利於5月19日在線上舉辦的戰略說明會上表明,將自本年起開端投資SiC功率半導體、目的在2025年開端進行量產,將應用旗下目前已生產矽製功率半導體的高崎工場的6吋晶圓產線進行生產,主因跟著電動車(E百家樂 洗牌V)遍及、動員節能功能優異的SiC功率半導體此後需要有望明顯增長。

除了SiC外,瑞薩也將對現行EV使用的矽製IGBT等功率半導體進行積極投資,於2024年關閉的甲府工場預測將在2024年上半年從頭啟用、將生產矽製功率半導體。

在SiC功率半導體市場上,龍頭廠瑞士STMicroelectronics、德國英飛凌(Infineon)、日本三菱電機等廠商也正致力於投資,瑞薩起步可說是對照慢。但是對此,柴田英利表明,「在功率半導體上、我們起步極度慢。比如、EV用IGBT此刻的市佔率推估為10%擺佈。但甲府工場開端生產的話,(市佔率)將可增至2倍、3倍」。

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