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因來自電動車(EV)的需要旺，日本三菱電機(Mitsubishi Electric)將砸千億日圓、蓋新廠，增產碳化矽(SiC)功率半導體，對功率半導體事業的器材投資計畫將倍增。
三菱電機14日公佈，將增產SiC功率半導體，主因EV用需要旺、動員市場預估將展示連忙發展。三菱電機將投資約1,000億日圓，在熊本縣菊池市的現有工場廠區內興建新廠房，該座新廠將導入8吋SiC晶圓產線、預測2026年4月啟用生產，三菱電機並將擴增位於熊本縣合志市的工場的6吋晶圓產能。
日媒指出，藉由上述增產投資，2026年度時、三百家樂破解下載菱電機SiC晶圓產能將擴增至2024年度的約5倍水準。
三菱電機百家樂 賠率指出，涵蓋上述投資算計，2024-2025年度的5年時期、該公司對功率半導體事業的器材投資計百家樂 統計畫合計將達2,600億日圓、投資規模將較原本方案值(1,300億日圓)倍增。
半導體製作工程可大要分為在矽晶圓上形成電路的「前段製程」和進行組裝、封測等的「後段製程」，而三菱電機上述位於熊本縣的2座據點皆屬於百家樂 練習「前段製程」據點。在「後段製程」部門，三菱電機方案投資約100億日圓在「Poer Device Manufacturer(位於福岡市)」內興建新廠房。
日媒新聞，依據法國查訪公司Yole指出，2024年三菱電機SiC功率半導體環球市佔率排第6，在日廠中、僅次於位居第4位的Rohm。富士電機、東芝也擠進環球前10大之列，龍頭廠為瑞士STMicroelectronics。
SiC功率半導體需要旺、2030年估跳增118倍
日本市調機構富士經濟(Fuji Keizai)公布查訪匯報指出，因汽車電子器材需要擴張，預估2030年環球功率半導體市場規模(涵蓋矽製產物和碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鎵等次世代功率半導體)將擴增至5兆3,587億日圓、將較2024年提升16倍(提升約160%)。
此中，2030年矽製功率半導體市場規模預估將擴張至4兆3,118億日圓、將較2024年提升11倍；20300年SiC等次世代功率半導體市場規模預估將達1兆469億日圓、衝破兆圓大關、將較2024年暴增123倍。
就次世代功率半導體的細項來看，2030年SiC功率半導體市場規模(涵蓋SiC-SBD、SiC-FET、SiC功率模組)預估將擴張至9,694億日圓、將較2024年暴增118倍；GaN功率半導體市場規模預估將擴張至305億日圓、將較2024年暴增85倍；氧化鎵功率半導體市場規模預估將擴張至470億日圓(2024年預估為3億日圓)。
